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2013-02-20 00:15 出处:PConline原创 作者:墨烟离 责任编辑:xiongxuehui

  【PConline 资讯】IBM在Common Platform技术论坛上展示了蓝色巨人对未来晶圆的发展预测,Common Platform是IBM、Globalfoundries和Samsung的联盟,旨在研究3D晶体管FinFET的芯片。在2月份举行的这次Common Platform 2013技术论坛上,IBM除了展示FinFET这种3D晶体管技术外,还展示了诸如硅光子晶体管,碳纳米管等前沿技术。

Common Platform 2013技术论坛
Common Platform 2013技术论坛

  在集成电路的晶体管数目的规律上,业界有一个著名的摩尔定律。摩尔定律指出,当价格不变时,集成电路上可容纳的晶体管数目,约每隔18个月便会增加一倍,性能也将提升一倍。该定律是由英特尔创始人之一摩尔提出,这些年来一直与芯片的发展相符。

硅晶元
硅晶元

  目前硅晶体管的制程工艺已经达到了32nm、20nm的水平,而且随着现在芯片领域越来越激烈的竞争,晶体管的尺寸也越来越小。例如比较知名的晶圆代工厂GlobalFoundries以及台积电、台联电都加进了下一代14nm制程工艺晶圆的研发。然而随着集成电路上的晶体管密度越来越大,其在密度上的增加就越来越困难。摩尔定律必将将晶体管的大小带到了一个物理上的极限。

英特尔晶体管研制计划
英特尔晶体管研制计划

  有报道指出,现阶段普遍应用的硅晶体管在尺寸上有一个10nm的物理极限。目前硅晶体管制程已经推进到22nm,14nm也近在咫尺,然而根据英特尔2011年的一份技术资料,其10nm制程的CPU要等到2015年。而且10nm也接近了硅晶体管的物理极限。相比之下,要想摩尔定律继续有效,碳纳米材料更有希望提升晶体管密度来拯救摩尔定律。

  IBM半导体研究部门负责人Gary Patton表示,45nm制程工艺的芯片已经开始在稳步的推出市场。对于目前的硅晶体管的10nm物理极限,Patton认为极限的EUV光刻技术可能让晶体管突破10nm这一大关。>>

 

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