正在阅读:IBM、联电携手参与10nm CMOS工艺的开发IBM、联电携手参与10nm CMOS工艺的开发

2013-06-17 17:47 出处:PConline原创 作者:佚名 责任编辑:xujian1

  【PConline 资讯】在半导体行业,联电(UMC)算不上往往与最先进的技术搭不上边,不过这一次,台湾代工厂准备走在世界前列了。IBM、联电今天共同宣布,联电将加入IBM技术开发联盟,共同参与10nmCMOS工艺的开发。

  IBM技术开发联盟是一个由IBM领导的半导体行业组织,成立已有数十年,成员包括GlobalFoundries(原AMD)、特许半导体(已被GF收购)、英飞凌、三星电子、意法半导体等赫赫有名的巨头,共同致力于先进半导体制造工艺的开发。相比于Intel、台积电、三星电子的单打独斗,这些厂商都是共享资源、联合开发,尤其是可以仰仗蓝色巨人IBM的雄厚技术实力。

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  事实上,这并不是联电第一次和IBM进行此类合作。2012年的时候,双方曾就14nmFinFET工艺的开发达成合作。

  在IBM的强力支持下,联电会继续改进14nmFinFET工艺的内部开发,为移动计算和通信产品提供低功耗的新工艺。

  10nm合作上,IBM联盟会针对联电客户的需求开发基准10nm工艺,联电则会派出一队工程师,前往纽约州奥尔巴尼,参与10nm的开发工作。

  联电的14nmFinFET、10nm工艺部署会在其台南研发中心展开。[返回频道首页]

 
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