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“我准备把新一代存储技术带到中国！”昨日上午华人论坛上，美国工程院院士马佐平在演讲中表示，相变存储器将是未来存储的方向。
出生于甘肃兰州的马佐平现任美国耶鲁大学教授、电机系主任。凭借在研发“互补性氧化金属半导体”闸介极科技方面的卓越贡献，马佐平成为美国半导体微电子科技领域的权威。目前，马佐平正领导着新一代存储设备的研发。
马佐平说，长期以来，广东的微电子产业主要以低端的装配为主，芯片等的研发速度相对较慢。除中芯国际在深圳的加工工厂外，研发力量十分薄弱。他说，世界存储器领域正面临着新一轮的变革，闪存和动态记忆存储在未来3到5年内将达到极限，无法再继续缩小尺寸、增加密度。
“相变存储器是未来发展方向，将逐步取代闪存、磁盘等。”他介绍说，三星、IBM等三家世界级的公司正瞄准这一领域发力，而马佐平正是IBM的合作者。“我们明年可能在中国大陆实现量产，不过是代工。预计到2014年以后考虑设厂，正在跟苏州、天津和广州等地谈。”马佐平透露。 
相变存储器(PCM)是新一代非易失性存储器技术。像大多数新科技一样，PCM为应用这项技术的人们带来很多好处。PCM是一种利用材料中的可逆相态变化来存储信息的非易失性存储器。 相变存储器是当今全球半导体产业中炙手可热的领域之一，作为一种新型的存储设备，这一产品有望取代目前普遍使用的“闪存”。现在全球有望实现量产相变存储器的企业寥寥可数，而市场空间又格外巨大，中国企业跻身其间正当其时。
在马佐平看来，对于基础良好、希望赶超世界先进水平的中国半导体产业而言，相变存储器是一个“很好的契机”。他说：“中国不能花费大量资源去做别人做了几十年的东西，这样是拼不过的，别人是数千人的精英团队做了几十年，很难赶得上。中国企业应当选择更高的起点，实现跨越式赶超。”
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