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　　【PConline 资讯】相变存储器(PCM)是新一代非易失性存储器技术。像大多数新科技一样，PCM为应用这项技术的人们带来很多好处。PCM是一种利用材料中的可逆相态变化来存储信息的非易失性存储器。　　

　　相变存储器是当今全球半导体产业中炙手可热的领域之一，作为一种新型的存储设备，这一产品有望取代目前普遍使用的“闪存”。现在全球有望实现量产相变存储器的企业寥寥可数，而市场空间又格外巨大。

　　IBM的研究人员们近日再次得出丰硕成果，攻克了相变存储(PCM)的一大难题：多位封装。相变存储技术已经开发了很多年，但是一直被局限在每单元一比特数据上，也就是1bit-per-cell(1bpc)，这样自然难以大幅提升容量、降低成本。

　　IBM最近终于完成了一颗多位PCM试验芯片，采用90nmCMOS工艺制造，不但读写速度高于普通NAND闪存，写入循环寿命也高达惊人的1000多万次。相比之下，目前最先进的25nmMLCNAND闪存只能坚持大约3000次就会挂掉。

　　另外，IBM这种多位PCM芯片的写入延迟最差也有10毫秒左右，比当前最先进的闪存快100倍。

　　不过IBM并未透露他们在一个单元内封装了多少个比特位，而且要看到这种新技术的量产，至少还得等四五年。

　　在去年的时候就有专家提出“相变存储器是未来发展方向，将逐步取代闪存、磁盘等。

　　相变存储器(PCM)是新一代非易失性存储器技术。像大多数新科技一样，PCM为应用这项技术的人们带来很多好处。PCM是一种利用材料中的可逆相态变化来存储信息的非易失性存储器。>>

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