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2018-04-16 09:28 出处:网络综合 作者:Alan 责任编辑:leijunhua

  【PConline  资讯】据科技日报报道,近日,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队在存储领域取得技术突破,开创了第三类存储技术,该技术写入速度比目前U盘快了一万倍,且用户可自行决定数据存储时间。

存储技术
网络配图

  据张卫教授介绍,目前半导体电荷存储技术主要有两类,第一类是易失性存储,如计算机内存,数据写入仅需几纳秒左右,但掉电后数据会立即消失;第二类是非易失性存储,如U盘,数据写入需要几微秒到几十微秒,但无需额外能量可保存10年左右。

  在国际上,存储设备的“写入速度”和“非易失性”两种特性一直不可兼得,而两位教授的研发团队不仅实现了“内存级”的读写速度,还在数据存储时间方面取得了突破。

  这种设备的数据保存周期能在10秒至10年之间按需调整。能够实现数据有效期截止后自然消失,解决了特殊场景下数据传输与保密要求之间的矛盾。

 
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