|
【PConline 资讯】近期在中国自主芯片领域有个不错的消息，中国首个拥有自主知识产权的存储芯片将在宁波制造生产。宁波时代全芯科技有限公司负责人透露，目前该项目一期总投资达1.5亿美金，并力争5年启动二期项目，完成投资达20亿美元以上。
2013年11月28日，宁波一民企自主研发的55纳米相变存储芯片正式问世。此前，只有美国美光和韩国三星两家企业将这项技术投入量产。
2014年3月6日，掌握相变存储器芯片技术自主知识产权的宁波时代全芯科技有限公司，在力利记投资集团、银创财富(中国)管理集团的力推下，其研发生产建设项目在宁波鄞州工业园区破土动工。
据市场分析公司预测，在未来30年内，基于PCM技术生产的半导体产品将成为电子存储器产业发展的主要支撑力量。宁波时代全芯研发的相变存储技术，打破了韩美在该技术领域的相关垄断，已获得全球57项专利。并预计2015年中旬进入投产阶段，12月实现一期全产能8000片的生产规模。>> ----------------------------------------------------------------------------- 解读相变存储 相变存储，是继内存、闪存之后的新一代数据存储技术，可广泛应用于移动设备、大数据存储及云存储平台。相变存储芯片的读写寿命高达1000多万次，可以存得更稳定，更安全。 相变存储器(PCM)是新一代非易失性存储器技术。像大多数新科技一样，PCM为应用这项技术的人们带来很多好处。PCM是一种利用材料中的可逆相态变化来存储信息的非易失性存储器。 相变存储器是当今全球半导体产业中炙手可热的领域之一，作为一种新型的存储设备，这一产品有望取代目前普遍使用的“闪存”。现在全球有望实现量产相变存储器的企业寥寥可数，而市场空间又格外巨大。 扩展知识面 据悉，全球搜索巨头谷歌的庞大数据信息，存储在美国面积达3个足球场大小的存储器里，而如果全部用新一代存储技术——相变存储技术，只需要20平方米的存储器就可以搞定。 -----------------------------------------------------------------------------
|
