正在阅读:巨资建造!中国首个相变存储芯片制造基地巨资建造!中国首个相变存储芯片制造基地

2014-04-04 00:15 出处:PConline原创 作者:善解人衣 责任编辑:xujian1

相变存储技术详细解读

  目前为止除中国科学院上海微系统与信息技术研究所外,已经有多家外国厂商在此领域有了非常大的发展。

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  PCRAM技术始于2007年,IBM、Intel、三星都投入了不少精力,海力士一直在开发相关的制造工艺,并已成功造出了40nm 1Gb PCRAM。其性能能达到NAND闪存的一百倍,可靠性更是高达一千倍,而功耗仅相当于DRAM。再加上相比于其它存储技术更加简单的结构,PCRAM还能大大降低生产成本,相信如此众多的亮点也成为各大厂商竞相关注的原因。

PCM样品
PCM样品

  其实相变存储器(PCM)是新一代非易失性存储器技术。像大多数新科技一样,PCM为应用这项技术的人们带来很多好处。PCM是一种利用材料中的可逆相态变化来存储信息的非易失性存储器。

PCM原理
PCM原理

  相变存储技术的原理是利用材料(由各种不同元素组成的合金)从低电阻值的结晶态转变到高电阻值的非结晶态中电阻值的变化来存储数据字节在一个PCM单元中,相变材料被放在上下两个电极之间。>>

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