正在阅读:巨资建造!中国首个相变存储芯片制造基地巨资建造!中国首个相变存储芯片制造基地

2014-04-04 00:15 出处:PConline原创 作者:善解人衣 责任编辑:xujian1

中国PCM市场发展情况

  在2012年4月的时候,中国科学院上海微系统与信息技术研究所就已经在相变存储上有所突破,我国第一款具有自主知识产权的相变存储器(PCRAM)芯片研制成功,打破了存储器芯片生产技术长期被国外垄断的局面,产业化前景可观。

相变存储

  据专家介绍,相比于传统存储器利用电荷形式进行存储,相变存储器主要利用可逆相变材料晶态和非晶态的导电性差异实现存储,被称为是“操纵原子排列而实现存储”的新型存储器。

  中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员、PCRAM研究项目负责人宋志棠表示,PCRAM相变存储器不仅综合了目前半导体存储器市场上主流的DRAM、SRAM和FLASH等存储器的优良特性,而且还具有微缩性能优越、非挥发性、循环寿命长、数据稳定性强、功耗低等诸多优势,被认为是下一代非挥发存储技术的最佳解决方案之一。

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  据了解,PCM现在已经可以取代部分闪存市场,随着产品不断升级,未来还会逐步取代部分内存、移动硬盘以及固态硬盘市场,并延伸至许多特殊应用领域,比如路由器中的CAM(内容寻址存储器),甚至可以作为一种新的计算单元使用。

  众所周知,中国芯片市场消费量在全世界排名第一,相关数据显示,2013年中国芯片进口量上升到90%以上。而占比低的国产芯片也主要为代工的中低端产品。近年来中国芯片投资额已超过2000亿。但掌握核心技术者近于无。

相变存储

  与此同时,中国芯片市场需求强烈。相关数据显示,2012年我国芯片产品进口额超过1900亿美元。被称之为“工业粮食”的芯片技术,因“中国芯”缺失而对IT产业的自主可控带来了巨大阻碍。[返回频道首页]

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