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三星电子宣布已经开始出货全球首款基于50纳米工艺技术的单条容量高达16GB DDR3 RDIMM服务器内存，内存条使用了双芯片(Dual-Die)封装设计，由64颗50nm 2Gb DDR3颗粒构成。此外该系列产品还有8GB版本，由32颗50nm 2Gb DDR3颗粒组成，但没有使用双芯片封装。
韩国三星公司于早些时候就展开了50纳米工艺GDDR5内存芯片的大批量生产并且指出其所有的内存芯片都将会向50纳米工艺转化。目前三星已经宣布推出了其首款基于50纳米制作工艺的2Gb DDR3内存颗粒。此后三星还将会推出18款配置各不相同的品牌内存产品，而这些内存绝大多数都将应用于服务器领域。据悉，目前这款出货的内存产品为16GB和8GB两个版本，而这意味着双路服务器主板的内存就可以扩展到192GB的上限。考虑到该款工作频率为1066MHz的16GB RDIMM内存的工作电压仅为1.35伏特，因此相比其他1.5伏特工作电压的DDR3服务器内存而言，这款内存产品能够节能20%左右。除了良好的节能特性外，该内存产品的模块采用的是双芯片（dual-die）封装设计，因此要在制造成本和性能表现上强于先前的四芯片封装设计。 由于2Gbit的内存芯片要比1Gbit DDR3内存芯片少消耗40%的电能，因此新的内存产品将会应用在笔记本电脑和服务器产品之中。市场研究公司IDC指出在未来两年内，2 Gbit DDR3内存模块的需求将会曾江30%左右，此外全球DDR3内存的市场份额也会在2011年上升至75%。 |
