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　　其实在今年4月的时候，中国科学院上海微系统与信息技术研究所就已经在相变存储上有所突破，我国第一款具有自主知识产权的相变存储器（PCRAM）芯片研制成功，打破了存储器芯片生产技术长期被国外垄断的局面，产业化前景可观。

相变存储器（PCRAM）芯片

　　据专家介绍，相比于传统存储器利用电荷形式进行存储，相变存储器主要利用可逆相变材料晶态和非晶态的导电性差异实现存储，被称为是“操纵原子排列而实现存储”的新型存储器。

　　中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员、PCRAM研究项目负责人宋志棠表示，PCRAM相变存储器不仅综合了目前半导体存储器市场上主流的DRAM、SRAM和FLASH等存储器的优良特性，而且还具有微缩性能优越、非挥发性、循环寿命长、数据稳定性强、功耗低等诸多优势，被认为是下一代非挥发存储技术的最佳解决方案之一。

中国相变存储技术研制

　　上海微系统与信息技术研究所已制成的PCRAM试验芯片存储容量为8Mb，在8英寸硅片上的每一块存储芯片，存储单元成品率达99%以上。经语音演示，已证实该芯片可实现读、写、擦的存储器全部功能。截至2010年底，该款PCRAM相变存储器已经获得50多项发明专利授权，150多项专利公开，相关专利分布涵盖从材料、结构工艺、设计到测试的芯片生产全部流程。专家表示，此款PCRAM芯片将可取代NORFLASH等传统存储器，广泛应用于手机存储、射频识别等多种消费型电子产品中。

　　我国半导体存储器市场规模目前已接近1800亿元，但由于长期缺乏具有自主知识产权的制造技术，国内存储器生产成本极为高昂。PCRAM相变存储器自主研制成功，使我国的存储器芯片生产真正摆脱国外的技术垄断。该款PCRAM相变存储器预计将于今年年内投入量产，研究院的专家计划在10年内，将中国的存储器自给率提高到60%。

　　相变存储器是当今全球半导体产业中炙手可热的领域之一，作为一种新型的存储设备，这一产品有望取代目前普遍使用的“闪存”。现在全球有望实现量产相变存储器的企业寥寥可数，而市场空间又格外巨大，中国企业跻身其间正当其时。
　　
　　对于基础良好、希望赶超世界先进水平的中国半导体产业而言，相变存储器是一个“很好的契机”。中国不能花费大量资源去做别人做了几十年的东西，这样是拼不过的，别人是数千人的精英团队做了几十年，很难赶得上。中国企业应当选择更高的起点，实现跨越式赶超。[返回频道首页]