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2011-10-11 10:51 出处:PConline原创 作者:佚名 责任编辑:xiongxuehui

  【PConline 资讯】最近国外媒体披露,惠普将联合Hynix于2013年推出基于Memristor存储技术的产品。用于取代目前市场上的闪存芯片。这一消息是一位惠普高级官员在塞维利亚举办的2011国际电子论坛(InternatiONal Electronics Forum)透露的,Stan Williams表示,惠普将在18个月内推出全新的内存芯片用于取代NAND闪存芯片。

  Memristor,又名忆阻器,是一种被动电子元件,忆阻器的磁通量和电阻会随着积累的电荷的改变而改变,基于这种性质,可将Memristor技术应用在内存芯片上。Memristor存储技术,与IBM赛道存储、PCM相变存储被认为是下一代存储技术,有可能取代目前的闪存、硬盘等存储产品。

Memristor存储技术
Memristor存储技术

  2010年9月初,惠普宣布联合Hynix,共同开发Memristor技术,将Memristor技术从研发阶段推向实际生产阶段。或许是前段时间,其竞争对手IBM赛道存储、PCM相变存储相继传出重大突破的消息,此番惠普终于有所表示。

  Stan Williams表示,“我们计划在未来1年半的时间内,推出一种可取代目前市场上闪存芯片的产品(Memristor)。我们还计划将其打造成为可取代SSD的存储解决方案。”[返回频道首页]

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