【PConline 资讯】根据最新消息,IBM和英特尔将展开在22nm 3D晶体管研发上的激烈竞争,在旧金山举办的IDEM2012大会,IBM和英特尔各自公布了最新的进展,IBM表示其22nm制程工艺的3D晶体管将会比32nm的腰提升25%-35%的性能,英特尔则是表示其22nm的处理器相比32nm要提升20%到65%的性能。 IDEM,国际电子设备大会,有着60余年的历史,汇聚着处理器芯片、内存等的设计、技术等最新热点。作为芯片设计界的两大带头企业,IBM与英特尔自然是在本次大会上争相出镜,在旧金山举行的IDEM2012大会上公布3D芯片的一些技术细节。
3D晶体管,指的是FinFET晶体管,英特尔最近推出的22nm三栅极晶体管也是属于此类晶体管。传统标准的晶体管—场效晶体管 (Field-effecttransistor;FET),其控制电流通过的闸门,只能在闸门的一侧控制电路的接通与断开,属于平面的架构。而FinFET则是一种3D结构,全名为FinField-effecttransistor,鳍式场效晶体管。通过类似鱼鳍的叉状3D架构的闸门,来控制电路的接通与断开。 FinFET的发明人为美籍华人胡正明(Chenming Hu)。胡正明于1947年生于北京,现任美国加州大学伯克利分校杰出讲座教授、北京大学计算机科学技术系兼职教授、中国科学院微电子所荣誉教授、台湾交通大学(新竹)微电子器件荣誉教授。
由于FinFET的研究,胡正明在2000年获得美国国防部高级研究项目局最杰出技术成就奖(DARPA Most Outstanding Technical Accomplishment Award)。
胡正明介绍到,普通三极管漏电流大,功耗大,工艺复杂,而FinFET的出现改善了这些问题,它工艺简单,体积小巧,成为MOSFET发展的新方向。>> 量子计算 几分钟等于全球计算机100万年 |
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2012-12-19 00:15
出处:PConline原创
责任编辑:xiongxuehui
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