【PConline 资讯】 三星近日宣布其将量产采用新一代3D垂直闪存(V-NAND)的固态硬盘驱动器。与传统的NAND存储芯片相比,V-NAND闪存的读写速度都要快上1倍、使用寿命达10倍、而能耗亦少了50%。目前,3D芯片所能提供的存储密度,仍与传统的2D结构相同。但在2D结构遇到发展瓶颈时,3D结构就能够更多数量级的额外存储密度。
三星表示,这种新闪存的拓展能力是普通2xnm平面型闪存的2倍以上,可靠性提升最少2倍、最多10倍,而且写入性能也可达到1xnm NAND闪存的两倍。Tb(128GB)级别的闪存芯片指日可待。 早在2006年,三星就研发了CTF技术。在这种结构的NAND闪存中,电荷被临时存放在氮化硅(SiN)材料制成的非导电层上,而不是用浮动栅极阻断相邻单元的干扰。现在,三星又成功把这种结构推向了三维层面。 此外,三星自己研发的垂直互连工艺可以将最多24个单元层堆叠在一起,并且使用特殊的蚀刻技术从最高层到最底层打孔,实现各个层的电子互连。。>> 热门产品:三星ES8000 创维E700S 夏普LX640A 海信XT770 惠普2520hc 佳能MP288 TP-Link TL-WR847N JCG JHR-N835R 华为T8950 HTC One SC 神舟精盾K790 神舟精盾Q480 闪存从最初20MB到现在的3万倍 闪存是二十一世纪的奇迹故事之一。虽然它在1980年就已被发明出,但直到1990年代中期投放到市场,它的存储密度仍只有20MB。不过,这20年来,闪存已经多次追逐甚至超越了摩尔定律,其容量已经达到了最初的3万倍。 场效应晶体管与NAND flash存储单元的对比 最新的NANDFlash采用了10纳米的的光刻工艺,并且开始遇到一些物理上的麻烦。一个NAND闪存,就是一个浮栅晶体管(floating-gatetransistor),而一个绝缘栅层能够存储电荷很长的时间。
而3DV-NAND闪存的"几何学"就是,通过在垂直方向寻求空间,来弥补这个问题。第一个变化就是捕获电荷陷阱的闪存几何学,由AMD在2002年首创。 闪存驱动器的内部结构解读 在一个闪存单元的电荷陷阱内,存储的电荷并不在浮栅上,而是处于一个嵌入式的氮化硅薄膜上。这种薄膜具有更强的抗点缺陷(pointdefects)能力。它也可以被做得很厚,存储更多的电子,从而对少量的电子损失不那么敏感。
三星现在有为企业应用提供V-NAND固态驱动器的样品,容量在480GB和960GB,写入速度比三星早期的SM843T980GBSSD快上20%,而功耗则下降了约40%。 |
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2013-09-02 00:16
出处:PConline原创
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