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2013-09-03 00:22 出处:PConline原创 作者:Echo 责任编辑:xujian1

DRAM内存单元频率和循环时间关系

下代内存DDR4前瞻:频率或达4266MHz
DRAM内存单元频率和循环时间关系图

下代内存DDR4前瞻:频率或达4266MHz
DRAM内存总体规格路线图

下代内存DDR4前瞻:频率或达4266MHz
DRAM制造工艺路线图

  反观DDR3规格,经过5、6年的铺垫和发展,目前DDR3仍然处于黄金时期,新的低电压内存以及更高频率让DDR3市场依然保持着相当的旺盛。尤其是虚拟化和内存计算等应用的诞生,业界对内存的需求也有增无减。现在正式推出DDR4标准对于业界来说并不是最好的选择。

  Haswell-EX和我们经常展望的Haswell属于同一家族,面向数据中心等大型企业领域,最多拥有16个核心,四路就是64核心。DDR4内存不仅会带来频率的大幅提升(最高可达4266MHz),更会有1.2V低电压、更好的对等保护和错误恢复等技术,这些大规模用于服务器和企业中心自然能看到立竿见影的好处。

  而另一方面,对于内存颗粒生产企业来说,DDR3颗粒价格的持续走低给各家的压力非常巨大。由于工艺制程的不断进步以及传统PC销量的低迷,紧靠着企业级市场的强劲需求已经不能让内存颗粒厂商保持盈利,前段时间尔必达的突然破产保护就是最好的例证。因此,借新标准的出台从而提升利润率无疑是目前颗粒生产厂家最大的希望。

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