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传统标准的晶体管—场效晶体管 (Field-effecttransistor；FET)，其控制电流通过的闸门，只能在闸门的一侧控制电路的接通与断开，属于平面的架构。而FinFET则是一种3D结构，全名为FinField-effecttransistor，鳍式场效晶体管。通过类似鱼鳍的叉状3D架构的闸门，来控制电路的接通与断开。
通过这种3D晶体管闸门的设计可以大幅改善电路控制并减少漏电流(leakage)，也可以大幅缩短晶体管的闸长，将晶体管制程工艺提高到更小的尺寸，以达到摩尔定律的预测。英特尔马宏升谈到摩尔定律，虽然按照摩尔定律晶体管的性能的不断提升给了芯片制造商不容小觑的压力，但是压力就是动力，也是一个机遇。
在2012年3月份，IBM、三星以及GlobalFoundries成立了名为Commom Platfrom的联盟，共同对FinFET晶体管也就是3D晶体管进行研究，交换各自的研究成果，旨在更快的推出14nm的3D晶体管。
3月14日，在旧金山举办的Commom Platfrom 2012技术论坛上，来自三星的发言人Anna Hunter表示，Commom Platfrom将会在2014至2015年之间推出3D晶体管。
而在Commom Platfrom 2013技术论坛上，IBM不仅展示了3D晶体管技术，而且同时展示了碳纳米管技术以及硅光子技术。>>
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2013-02-20 00:15
出处：PConline原创
责任编辑：xiongxuehui
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