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2013-09-03 00:22 出处:PConline原创 作者:Echo 责任编辑:xujian1

内存频率规格路线图

  DDR、DDR2、DDR3一路走来,频率更高、电压更低的同时延迟也在不断变大,慢慢改变着内存子系统,DDR4带来的变化甚至可能更大。後藤弘茂分析称,DDR4时代每个内存通道只会支持一条内存模组,因为开发人员准备使用点对点技术取代目前的多点总线。这样一来,系统可用内存条数量、容量都将受到很大限制,为此开发人员正在思考两种解决方法:

  第一,让DRAM厂商借助硅穿孔(TSV)技术和多层制造工艺大幅提高单个内存颗粒的容量,这就对DRAM生产技术提出了几乎苛刻的要求,而且用户升级也会比较麻烦,为了提高多通道性能必须同时替换所有内存条。

  第二,在服务器领域内,如果多层DRAM IC方式不适合,就在主板上安装特殊开关,允许多个内存条工作在同一内存通道内,这显然会增加主板的难度和成本,还可能会影响性能,带来潜在的兼容性问题

内存频率规格路线图

下代内存DDR4前瞻:频率或达4266MHz
内存电压规格路线图

  DDRS DRAM成功了,并且成功的非常彻底,内存的发展节奏完全掌控在了的DDR SDRAM的手中。于是,大家又开始期盼DDR之后的DDR2甚至是DDR3。不过在DDR规范成型之后,DDR2和DDR3保持大幅革新的势头是非常困难的。再加上大幅改进的代价可能会是更大的奉献,所以DDR2和DDR3均采用了最为保守的发展方式。

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