|
【PConline 资讯】上周美光公司和IBM宣布的3D内存芯片HMC项目，在电路元件密度上将达到瓶颈时，为提升芯片性能提供了一个途径，另外一方面，新型的存储技术也是各厂商提高芯片性能所追逐的领域，在HMC项目上同样与美光公司有合作的三星，在新型PCM相变存储领域的研究也试图和IBM一较高下，PCM作为下一代存储的热门领域，有望取代目前普遍应用的闪存。今年7月份IBM展示的90nm制程工艺的PCM芯片，比闪存快约100倍。而近日三星宣布将在明年发布的8G相变存储芯片，制程工艺则更进一步达到20nm。
据了解，三星公司将在明年2月举行的2012年国际固态电路会议（ISSCC）上发布20nm的PCM相变存储芯片元件，相比于今年2月发布的PCM芯片，制程工艺从58nm提升到了20nm，而且大小从1G增大到8G。
作为芯片设计界的“奥运会”，ISSCC大会往往汇集了芯片设计的最前沿科技，2012年的ISSCC将在2月19日至23日在旧金山举行，本次大会收录的202篇论文中，亚洲地区占了73篇（36%），美洲占了68篇（34%），这也是ISSCC大会举办59届以来，来自亚洲的论文数量首次超过美洲。本次ISSCC 2012的会议主题是“Silicon Systems for Sustainability（以可持续性为目标的硅系统）”。CPU内存等芯片都属于这一范畴。
PCM相变存储，作为有望取代闪存成为下一代存储产品的技术，IBM、三星、英特尔等知名企业都有研究。PCM相变存储技术是在1966年由Stanford Ovshinsky 提出的，1999年以来英特尔三星相继开始各自的PCM研究，而IBM对于PCM的研究消息是在2005年传出的。>> ----------------------------------------------------------------------------- 相关文章： IBM研制3D内存芯片 128Gbps速度提升10倍 攻克相变存储 PCM芯片比当前闪存快100倍 相变存储器或将成为未来存储发展大趋势 如果您什么服务器问题，请点击以下链接，进入PConline 服务器论坛： -----------------------------------------------------------------------------
|
