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【PConline 资讯】把持着未来3D晶体管FinFET技术的77%专利，GlobalFoundries声称其所在的联盟已经占据了市场的领导权，而英特尔只能是追赶的其联盟。GlobalFoundries的架构开发部门主管Subramani Kengeri说到，77%的FinFET技术专利是由GlobalFoundries、IBM、三星等联盟共同拥有，IBM大联盟似乎要在3D晶体管上对英特尔进行专利战的围剿。
FinFET晶体管，通常也叫3D晶体管，英特尔最近推出的22nm三栅极晶体管也是属于此类晶体管。 Kengeri表示，英特尔无疑将会实现FinFET技术，而其他厂家的实现FinFET技术将会变得十分困难，但是IBM联盟中的企业已经在FinFET技术的研究上努力了十余年。并且已经掌握了其中77%的专利权，在如今专利纷争不断的今天占得的先机。 Kengeri介绍到GlobalFoundries已经从传统的模式转变了。在未来，低耗能高效率将是一个热点，GlobalFoundries正在与合作伙伴合作研究，并且将会在未来不久推出5年规划图。 在20nm制程工艺水平，包括远红外光刻技术是其中的一些难题，不过Kengeri对其公司能够克服这些难题有充分的信心。 GlobalFoundries的生产能力已经达到每月超过25万片绝缘层+金属栅极晶圆，并且已经满足了其所有的32nm晶圆的订单需求。生产450mm晶圆并没有地区性的差异。在过去一个月中，GlobalFoundries在Dresden生产了8万片晶圆，在新加坡生产了6万片，而在纽约州的晶圆厂将会每月生产6万片晶圆。
Kengeri预测，经过十余年的耕耘发展，新工艺的晶体管将会迅猛发展同时成本也会增加。而顾客和和消费者期待着以更低的价格获得更优异的性能。Kengeri表示经济学规律还将起到作用，未来半导体产品中将会有更多的新的应用。在未来，我们将会看到更大的核芯，并且将会用到3D或者其他引人注目的技术。>> ----------------------------------------------------------------------------- 相关文章： 抢滩微服务器 英特尔3D CPU迎战AMD及ARM
每瓦特20亿次浮点计算 全球最节能超算 10万万亿次 最大望远镜难倒世界第一超算 如果您什么服务器问题，请点击以下链接，进入PConline 服务器论坛： ----------------------------------------------------------------------------- 3D晶体管技术：FinFET FinFET的发明人为美籍华人胡正明（Chenming Hu），早在2011年就开始了对FinFET的研究。胡正明于1947年生于北京，现任美国加州大学伯克利分校杰出讲座教授、北京大学计算机科学技术系兼职教授、中国科学院微电子所荣誉教授、台湾交通大学(新竹)微电子器件荣誉教授。
传统标准的晶体管—场效晶体管 (Field-effecttransistor；FET)，其控制电流通过的闸门，只能在闸门的一侧控制电路的接通与断开，属于平面的架构。而FinFET则是一种3D结构，全名为FinField-effecttransistor，鳍式场效晶体管。通过类似鱼鳍的叉状3D架构的闸门，来控制电路的接通与断开。
由于FinFET的研究，胡正明在2000年获得美国国防部高级研究项目局最杰出技术成就奖（DARPA Most Outstanding Technical Accomplishment Award）。
胡正明介绍到，普通三极管漏电流大，功耗大，工艺复杂，而FinFET的出现改善了这些问题，它工艺简单，体积小巧，成为MOSFET发展的新方向。
通过这种3D晶体管闸门的设计可以大幅改善电路控制并减少漏电流(leakage)，也可以大幅缩短晶体管的闸长，将晶体管制程工艺提高到更小的尺寸，以达到摩尔定律的预测。英特尔马宏升谈到摩尔定律，虽然按照摩尔定律晶体管的性能的不断提升给了芯片制造商不容小觑的压力，但是压力就是动力，也是一个机遇。>> 英特尔最新推出的22nm三栅极晶体管，实际上就是FinFET晶体管，在IDF2012上，英特尔将22nm三栅极晶体管作为第一个重点技术推向市场。
相对于传统上一大32nm晶体管，22nm三栅极晶体管的优势在于性能的提升和功耗降低。
保持相同的低压情况下，22nm三栅极晶体管的性能比上一大性能提升30%以上，而若是以功耗来比较的话，相同功耗的性能提升约为50%。
在IDF2012会上，英特尔还展示了22nm三栅极晶体管的晶圆。
我们来看在IDF2012大会上，英特尔官方给出的22nm三栅极晶体管结构图，对比FinFET晶体管的结构示意图，两者都是采用3D结构的闸门（英特尔中文翻译为栅），来实现晶体管电路的接通与闭合。在英特尔官方介绍中，也用到了“鳍”这一个字来形容闸门。>> IBM、三星、GlobalFoundries对FinFET的研究
在2012年3月份，IBM、三星以及GlobalFoundries成立了名为Commom Platfrom的联盟，共同对FinFET晶体管也就是3D晶体管进行研究，交换各自的研究成果，旨在更快的推出14nm的3D晶体管。
3月14日，在旧金山举办的Commom Platfrom 2012技术论坛上，来自三星的发言人Anna Hunter表示，Commom Platfrom将会在2014至2015年之间推出3D晶体管。
对比IBMFinFET双门晶体管与英特尔三栅极晶体管，我们可以发现其是二者之间的差别不是很大，只不过英特尔将连接两个侧闸门的部部分也算一个闸门。其实不止IBM、三星英特尔等在对FinFET晶体管研究，还有许多研究机构以及企业对3D晶体管表现出浓厚兴趣。
全文总结：在芯片晶体管工艺上，一直以来都是英特尔领先，随着晶体管尺寸和密度越来越接近物理极限，拯救摩尔定律则需要新的技术，对于下一代的3D晶体管技术，谁能占得先机，IBM、三星、GlobalFoundries的联盟能否撬动英特尔的霸主地位，77%的专利权在手，有多少水分和意义，让我们拭目以待吧。[返回频道首页] |
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2012-06-13 00:15
出处：PConline原创
责任编辑：xiongxuehui
