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　　在美国旧金山举办的IDF2011大会上，英特尔展示了HMC相比于当前的DDR3内存的优势。从下图英特尔和美光公布的数据来看，HMC的能达到128Gbps的速度，相比于当时4GB DDR3的10.7Gbps，速度有接近12倍的提升。

HMC对比DDR3

　　不过，与三星美光不同的是，虽然英特尔与美光有合作开发HMC，不过英特尔却并没有加入到HMC联盟中。

　　2011年12月初，IBM宣布加入HMC联盟，与美光合作开发混合立方内存芯片，成为HMC联盟的开发者成员。

HMC

　　2011年在与IBM的合作中，美光公司在HMC内存芯片的设计上做些调整，移除通常连接内存芯片和其它芯片的电路，取而代之的是一块特殊的IBM芯片。并且IBM芯片将位于底层，其上方可能堆叠四或八块美光的内存芯片。

　　根据IBM的消息，其和美光公司（Micron）计划推出的3D内存芯片存取数据能够达128Gbps，与之前英特尔公布的数据一致，是目前内存的10倍。>>