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SSD体积更为小巧 未来发展路线有三

　　和现有的诸如HDD以及光盘之类的存储介质相比，固态硬盘则有着更大的潜力。比如后者在体积上要远远小于HDD和光盘。由于固态硬盘的核心部件是半导体器件，这就意味着设计尺寸的缩小以及高密集封装技术能够使其远远小于其他存储介质。

芝研发的单个封装下128GB容量的固态硬盘

　　技术依然在持续发展演进。东芝公司正在研发18 x 14毫米单个封装有128GB容量存储的固态硬盘，小巧的芯片安装面积只有1.8英寸HDD的1/15，如果16个如此的封装被用于制造1.8英寸的固态硬盘的话，那么其最终的容量和可能会达到2TB。

　　这个超小型固态硬盘将堆列有32个NAND闪存芯片，每个容量为32GB。东芝表示已经解决了大多数如此高密集型封装的技术性问题，希望尽快在未来一两年内推行商业化。如此小型的固态硬盘也将会催生超小型的系统设备。富士通Konaka表示，“钱包尺寸大小的PC很有可能，考虑到该技术能够催生全新种类的个人电脑产品，因此还是非常值得去深入。”

固态硬盘未来三条路线，超小型、超大容量（超过ITB）以及高速数据传输

鱼和熊掌岂能兼得 成本VS可靠性

　　固态硬盘的价格将会持续下跌，随着高密集型封装和其他半导体行业技术的发展，固态硬盘在体积上还会变得更小更薄。对于设备制造商而言，未来憧憬还是非常美好的。

　　但是在固态硬盘实现未来增长之前还有一个问题需要解决。朝低成本方向的演进可以通过更精良的制造工艺技术、多层次架构和其他高级技术手段实现，但是这些变化在朝着低成本方向迈进的同时也会降低NAND闪存的品质。

　　NAND闪存的品质已经开始逐步下滑。芯片制造商在2004至2005年期间使用了90纳米工艺技术，这能保证10万次重新写入以及10年的数据保存期限。随着多层次架构技术的引入，NAND闪存品质每况愈下。即将于2009至2010年投入大批量化生产的30纳米2-bit/cell芯片制造技术也只能保证不到3000次的重新写入生命周期以及不到一年的数据保存期限。目前第一批采用3-bit/cell芯片的固态硬盘已经进入市场，其重新写入次数也仅为上百次而已。

HDD SSD区别依旧 四大因素决定SSD可靠性

　　重新写入次数、数据保存期限以及其他特征就是NAND闪存价值的体现。由于控制集成电路能够保持每个存储单元重新写入次数相等（即为损耗均衡）、error correction coding（ECC，错误纠正编码）以及其他方式所带来的固态硬盘使用周期的拓展，因此上述因素并没不能完全决定固态硬盘的最终使用寿命。

设计尺寸越小以及多，单个NAND闪存的可靠性越差

　　上图显示，随着设计尺寸的缩小以及多层次架构技术的引入，单个NAND闪存的可靠性每况愈下。固态硬盘控制器以及其他能够保证NAND闪存使用周期的因素变得更为重要。

　　但是这些因素也只能是起到辅助作用，并不能解决实质问题。除了控制集成电路运算法则、优化操作系统和其他项目外，固态硬盘的实际使用周期将极大取决于设备制造商的应用方式、操作环境，包括温度、海拔以及振动频率。