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EUV光刻技术，在芯片制作的过程中，晶体管实际是一个个非常小的电路回路。而将这些电路回路刻在芯片的就是采用光刻技术，晶体管的大小很大一定程度要取决于光刻技术，就比如说，你用很细的笔才能写出很细小的字，而用毛笔是绝对办不到的。而目前最先进的EUV光刻技术理论上能印刷出最小7nm的电子回路。
芯片制造者目前能将这些非常复杂的双缝衍射的光刻技术处理过程限制在20nm的范围中，不过IBM想出解决方法，将制程工艺提高到10nm。IBM的Gary Patton列出了几种技术，来缓解这些双缝干涉的问题。
Gary Patton提到，EUV光刻技术，最大的挑战在于EUV光刻技术采用的射线波长只有13nm，这种波很容易被物质吸收。 尽管如此，Gary Patton坚信CMOS支持工艺仍然会继续向前发展，但是需要一些新的技术，比如碳纳米晶体管和硅光子晶体管等。
FinFET晶体管又称3D晶体管，而3D晶体管之后有一个技术热点则是碳纳米管晶体管。 FinFET的发明人为美籍华人胡正明（Chenming Hu），早在2011年就开始了对FinFET的研究。胡正明于1947年生于北京，现任美国加州大学伯克利分校杰出讲座教授、北京大学计算机科学技术系兼职教授、中国科学院微电子所荣誉教授、台湾交通大学(新竹)微电子器件荣誉教授。>>
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2013-02-20 00:15
出处：PConline原创
责任编辑：xiongxuehui
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