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　　闪存是二十一世纪的奇迹故事之一。虽然它在1980年就已被发明出，但直到1990年代中期投放到市场，它的存储密度仍只有20MB。不过，这20年来，闪存已经多次追逐甚至超越了摩尔定律，其容量已经达到了最初的3万倍。

场效应晶体管与NAND flash存储单元的对比

　　最新的NANDFlash采用了10纳米的的光刻工艺，并且开始遇到一些物理上的麻烦。一个NAND闪存，就是一个浮栅晶体管(floating-gatetransistor)，而一个绝缘栅层能够存储电荷很长的时间。
　　
　　而存储器的读取，则是通过门控脉冲测量设备通道的导通性来实现的。如果没有存储电荷，存储单元就会给出一个响应；而如果存储了电荷，它就不会给出响应，从而允许非破坏性地数据读取。
　　
　　但在制造较小尺寸的NAND闪存方面，至少面临着两种困难。首先，每个门只持有少数的电子，因此会导致其状态很难被区分。其次，控制电极是如此之小(紧密)，以至于分布其上的存储单元会受到影响，最终导致不可靠的数据读写。

　　
　　3DNANDFlash的横截面示意图。

　　而3DV-NAND闪存的"几何学"就是，通过在垂直方向寻求空间，来弥补这个问题。第一个变化就是捕获电荷陷阱的闪存几何学，由AMD在2002年首创。