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　　在一个闪存单元的电荷陷阱内，存储的电荷并不在浮栅上，而是处于一个嵌入式的氮化硅薄膜上。这种薄膜具有更强的抗点缺陷(pointdefects)能力。它也可以被做得很厚，存储更多的电子，从而对少量的电子损失不那么敏感。
　　
　　第二个变化，就是把一个平面的电荷陷阱单元，做成圆柱形(如上图所示)。增长的一大排V-NAND单元(本例中为1verticalstack/8cell)开始形成一个交变堆栈，导电(掺杂)了多晶硅曾(红色区域)和中空的二氧化硅层(蓝色区域)。
　　
　　下一步则是腐蚀或形成一个通过这些曾的圆柱形孔。在实践中，一个128Gbit的24层V-NAND芯片，其存储单元的形成需要29亿个这样的孔。然后沉积出一个二氧化硅的保形层，罩住这些孔的内表面；随之是一个类似的氮化硅层，以及第二个二氧化硅层。
　　
　　氮化硅是电荷俘获层，二氧化硅层则是门和隧道介质。最后，孔的中心会被填满导电的(掺杂)多晶硅，以形成存储cell的通道。

　　
　　闪存驱动器的内部结构

　　三星现在有为企业应用提供V-NAND固态驱动器的样品，容量在480GB和960GB，写入速度比三星早期的SM843T980GBSSD快上20%，而功耗则下降了约40%。
　　
　　更重要的是，3D驱动器的耐久度是SM843T的10余倍，能够开辟出上一代SSD所不能胜任的新应用。目前没有任何有关新SSD将于何时面向大众上市的消息。[返回频道首页]