【PConline 资讯】相变存储器(PCM)是新一代非易失性存储器技术。像大多数新科技一样,PCM为应用这项技术的人们带来很多好处。PCM是一种利用材料中的可逆相态变化来存储信息的非易失性存储器。 相变存储器是当今全球半导体产业中炙手可热的领域之一,作为一种新型的存储设备,这一产品有望取代目前普遍使用的“闪存”。现在全球有望实现量产相变存储器的企业寥寥可数,而市场空间又格外巨大。 IBM的研究人员们近日再次得出丰硕成果,攻克了相变存储(PCM)的一大难题:多位封装。相变存储技术已经开发了很多年,但是一直被局限在每单元一比特数据上,也就是1bit-per-cell(1bpc),这样自然难以大幅提升容量、降低成本。 IBM最近终于完成了一颗多位PCM试验芯片,采用90nmCMOS工艺制造,不但读写速度高于普通NAND闪存,写入循环寿命也高达惊人的1000多万次。相比之下,目前最先进的25nmMLCNAND闪存只能坚持大约3000次就会挂掉。 另外,IBM这种多位PCM芯片的写入延迟最差也有10毫秒左右,比当前最先进的闪存快100倍。 不过IBM并未透露他们在一个单元内封装了多少个比特位,而且要看到这种新技术的量产,至少还得等四五年。 在去年的时候就有专家提出“相变存储器是未来发展方向,将逐步取代闪存、磁盘等。 相变存储器(PCM)是新一代非易失性存储器技术。像大多数新科技一样,PCM为应用这项技术的人们带来很多好处。PCM是一种利用材料中的可逆相态变化来存储信息的非易失性存储器。>> ----------------------------------------------------------------------------- 相关文章: 相变存储器或将成为未来存储发展大趋势 如果您什么服务器问题,请点击以下链接,进入PConline 服务器论坛: ----------------------------------------------------------------------------- 其实在今年4月的时候,中国科学院上海微系统与信息技术研究所就已经在相变存储上有所突破,我国第一款具有自主知识产权的相变存储器(PCRAM)芯片研制成功,打破了存储器芯片生产技术长期被国外垄断的局面,产业化前景可观。
据专家介绍,相比于传统存储器利用电荷形式进行存储,相变存储器主要利用可逆相变材料晶态和非晶态的导电性差异实现存储,被称为是“操纵原子排列而实现存储”的新型存储器。 中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员、PCRAM研究项目负责人宋志棠表示,PCRAM相变存储器不仅综合了目前半导体存储器市场上主流的DRAM、SRAM和FLASH等存储器的优良特性,而且还具有微缩性能优越、非挥发性、循环寿命长、数据稳定性强、功耗低等诸多优势,被认为是下一代非挥发存储技术的最佳解决方案之一。
上海微系统与信息技术研究所已制成的PCRAM试验芯片存储容量为8Mb,在8英寸硅片上的每一块存储芯片,存储单元成品率达99%以上。经语音演示,已证实该芯片可实现读、写、擦的存储器全部功能。截至2010年底,该款PCRAM相变存储器已经获得50多项发明专利授权,150多项专利公开,相关专利分布涵盖从材料、结构工艺、设计到测试的芯片生产全部流程。专家表示,此款PCRAM芯片将可取代NORFLASH等传统存储器,广泛应用于手机存储、射频识别等多种消费型电子产品中。 我国半导体存储器市场规模目前已接近1800亿元,但由于长期缺乏具有自主知识产权的制造技术,国内存储器生产成本极为高昂。PCRAM相变存储器自主研制成功,使我国的存储器芯片生产真正摆脱国外的技术垄断。该款PCRAM相变存储器预计将于今年年内投入量产,研究院的专家计划在10年内,将中国的存储器自给率提高到60%。 相变存储器是当今全球半导体产业中炙手可热的领域之一,作为一种新型的存储设备,这一产品有望取代目前普遍使用的“闪存”。现在全球有望实现量产相变存储器的企业寥寥可数,而市场空间又格外巨大,中国企业跻身其间正当其时。 |
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2011-07-04 02:35
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