在美国旧金山举办的IDF2011大会上,英特尔展示了HMC相比于当前的DDR3内存的优势。从下图英特尔和美光公布的数据来看,HMC的能达到128Gbps的速度,相比于当时4GB DDR3的10.7Gbps,速度有接近12倍的提升。 不过,与三星美光不同的是,虽然英特尔与美光有合作开发HMC,不过英特尔却并没有加入到HMC联盟中。 2011年12月初,IBM宣布加入HMC联盟,与美光合作开发混合立方内存芯片,成为HMC联盟的开发者成员。 2011年在与IBM的合作中,美光公司在HMC内存芯片的设计上做些调整,移除通常连接内存芯片和其它芯片的电路,取而代之的是一块特殊的IBM芯片。并且IBM芯片将位于底层,其上方可能堆叠四或八块美光的内存芯片。 根据IBM的消息,其和美光公司(Micron)计划推出的3D内存芯片存取数据能够达128Gbps,与之前英特尔公布的数据一致,是目前内存的10倍。>>
|
正在阅读:3D内存芯片 128Gbps快DDR3内存10倍以上3D内存芯片 128Gbps快DDR3内存10倍以上
2012-07-12 00:15
出处:PConline原创
责任编辑:xiongxuehui
键盘也能翻页,试试“← →”键
本文导航 | ||
|