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利用半导体带来闪存读写的新革命

　　对于这个研究发现，IBM的研究人员认为，他们的技术突破为创造晶体管和非易失性存储打开了大门，这将大大降低现在NAND闪存技术的功率。并且他们也根据这个技术方向，自己得出了新的研究结果。

　　经过IBM研究院和瑞士苏黎世联邦理工学院的固态物理实验室共同研究发现，他们可以通过改变电子在其空间中的相对轴向（向上或向下），用它代表数据位。利用超短激光脉冲监测一小块地方内成千上万电子同时产生的自旋，将电子自旋周期延长30倍至1.1纳秒。

 脉冲改变自选周期

　　虽然之前的研究表明自旋方向的这些旋转是完全不相关的，但是通过IBM的研究人员发现，可以通过技术手段让这种旋转实现同步，从而让电子保持自旋的同时又全部沿同一个方向旋转。采用的技术则是常用的半导体材料。

20纳米NAND闪存

　　通过对半导体材料尺寸的控制，解决NAND闪存产品所使用的电路宽度已经小于20纳米的极限说法。延长电子在沟道内自旋周期的方法，从而带来闪存读写的真正革命。>>