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写入循环寿命达1000多万次

　　除了上面这些新技术外，之前在我们的报道中有提到过IBM攻克了相变存储技术。IBM的多位PCM试验芯片，采用90nmCMOS工艺制造，不但读写速度高于普通NAND闪存，写入循环寿命也高达惊人的1000多万次。相比之下，目前最先进的25nmMLCNAND闪存只能坚持大约3000次就会挂掉。

　　另外，IBM这种多位PCM芯片的写入延迟最差也有10毫秒左右，比当前最先进的闪存快100倍。

　　不过IBM并未透露他们在一个单元内封装了多少个比特位，而且要看到这种新技术的量产，至少还得等四五年。

　　在去年的时候就有专家提出“相变存储器是未来发展方向，将逐步取代闪存、磁盘等。

PCM样品

　　其实相变存储器(PCM)是新一代非易失性存储器技术。像大多数新科技一样，PCM为应用这项技术的人们带来很多好处。PCM是一种利用材料中的可逆相态变化来存储信息的非易失性存储器。

PCM原理

　　我们都知道内存是关系到计算机运行性能高低的关键部件之一，无疑是非常重要的。为了加快系统的速度，提高系统的整体性能，我们看到，计算机中配置的内存数量越来越大，而内存的种类也越来越多。对于现今的大多数计算机系统，内存的存取时间都是一个主要的制约系统性能提高的因素。所以解决内存计算的瓶颈，致力于内存技术的研究都是我们关注的课题。[返回频道首页]