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内存核心连接 实现高速读取数据

　　随着芯片制程工艺从65nm，45nm再到22nm，电路的密集度越来越高，势必会达到一个技术上的瓶颈，因此如今各芯片制造商都在探索3D芯片的可能性，像是HMC内存芯片存取数据就能达128Gbps，是目前DDR3内存的10倍以上。

3D芯片

　　HMC的基本理念是将芯片层层叠起，和传统上将一个系统中的半导体联系在一起的做法相比，新方法将用到更多且速度更快的数据通路。支持者认为，将芯片堆叠起来的做法除了节省空间，还能达到类似于立体电路块的效果。

Hybrid Memory Cube（HMC）

　　HMC是通过一个TSV（through-silicon-via硅通道）连接层将内存核心连接在一起，达到高速读取数据的效果。

Hybrid Memory Cube

　　 在与IBM的合作中，美光公司将在HMC内存芯片的设计上做些调整，移除通常连接内存芯片和其它芯片的电路，取而代之的是一块特殊的IBM芯片。并且IBM芯片将位于底层，其上方可能堆叠四或八块美光的内存芯片。>>