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3D晶体管技术：FinFET FinFET的发明人为美籍华人胡正明（Chenming Hu），早在2011年就开始了对FinFET的研究。胡正明于1947年生于北京，现任美国加州大学伯克利分校杰出讲座教授、北京大学计算机科学技术系兼职教授、中国科学院微电子所荣誉教授、台湾交通大学(新竹)微电子器件荣誉教授。
传统标准的晶体管—场效晶体管 (Field-effecttransistor；FET)，其控制电流通过的闸门，只能在闸门的一侧控制电路的接通与断开，属于平面的架构。而FinFET则是一种3D结构，全名为FinField-effecttransistor，鳍式场效晶体管。通过类似鱼鳍的叉状3D架构的闸门，来控制电路的接通与断开。
由于FinFET的研究，胡正明在2000年获得美国国防部高级研究项目局最杰出技术成就奖（DARPA Most Outstanding Technical Accomplishment Award）。
胡正明介绍到，普通三极管漏电流大，功耗大，工艺复杂，而FinFET的出现改善了这些问题，它工艺简单，体积小巧，成为MOSFET发展的新方向。
通过这种3D晶体管闸门的设计可以大幅改善电路控制并减少漏电流(leakage)，也可以大幅缩短晶体管的闸长，将晶体管制程工艺提高到更小的尺寸，以达到摩尔定律的预测。英特尔马宏升谈到摩尔定律，虽然按照摩尔定律晶体管的性能的不断提升给了芯片制造商不容小觑的压力，但是压力就是动力，也是一个机遇。>>
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2012-06-13 00:15
出处：PConline原创
责任编辑：xiongxuehui
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