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RRAM相比于NAND的诸多优势

　　这种全新电阻式RAM技术，可以在一颗比邮票还小的单芯片中存下1TB的数据，这意味着未来电子产品的存储密度将极大地提高，同时RRAM的写入性能比目前最好的NAND芯片还快上20倍，读写时的功率仅为1/20。

RRAM

　　Crossbar RRAM本身就是简单的三层式结构，所以能够进行3D堆叠，进一步扩大容量，而且兼容主流的CMOS制造工艺。

RRAM相比于NAND的诸多优势

　　Crossbar宣称，相比于当今最先进的NAND闪存，这种新型存储技术能带来20倍的写入性能(140MB/s VS. 7MB/s)、10倍的可靠性和耐用性(125℃下十年VS. 85℃下一至三年)、1/20的功耗，而内核面积可以小一半还要多——官方数据是同样的25nm 8GB，NAND闪存需要167平方毫米，RRAM只需77平方毫米。

RRAM、NAND内核面积比较

　　另外，NAND闪存在25nm工艺之后出现了严重的性能下滑、寿命缩短问题，RRAM则可以一路走到5nm甚至更远。

　　针对RRAM，IMEC主要瞄准基于铪/氧化铪的材料。IMEC研究所记忆体研究专案总监Altimime表示，他们之前研究过这些材料，目前这些材料展现出非常精确的层状架构设计，最佳化了dc/ac电气性能，并具备良好的R-off到R-on比。IMEC也认为它具有良好的开关机制，这与晶格中的氧空位(oxygenvacancies)运动有关。>>