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简单的四层堆叠阵列分解

　　下图就是一个简单的四层堆叠阵列。最底部是CMOS控制器电路，因为就在存储阵列下方可以节省内核空间，也不需要大型的高压晶体管。中间部分是两个镀金属层，用于在控制器电路、存储阵列之间传输信号。

　　这结构感觉有点像英特尔的3D三栅极晶体管结构，看来“3D堆叠”有望成为未来芯片发展的方向啊。

　　Crossbar表示，这种存储器还可以以阵列的方式运行，他们计划将这项技术授权给其它公司使用，目前30余项专利已经被授予。

　　在2010年时台湾层开发出最小的9纳米功能性电阻式内存(R-RAM)数组晶胞，容量比现在的闪存增大20倍，但耗电量却降低了200倍，应用这个技术在1平方厘米面积下，可以储存1个图书馆的文字数据，而且可再借立体堆栈设计，进一步提升容量，让信息电子产品的轻薄短小化有无限发挥的可能性。

　　随着可携式3C产品对体积越来越小以及容量越来越大的需求日益增加，如何能研发出体积更小、记忆量更大的内存，是全球研究人员努力的目标。希望通过技术的创新，我们可以有越来越多的可选择性。[返回频道首页]