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存储单元及四层堆叠阵列图解读
Crossbar RRAM的每一个存储单元都放置在横竖交错的互连层中间，形成顶部金属电极、中间切换媒介、底部电极的结构，纳米粒子可以在中间形成上下联通的导电通路。
RRAM的高读写周期数，是该技术超越快闪记忆体的关键优势──快闪记忆体的耐受周期正随着晶片微缩而减少。在22nm节点，快闪记忆体的耐受周期大约低于10-4。这也是记忆体厂商竞相寻求下一代最新记忆体技术的主要原因。>>
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2013-08-10 00:17
出处：PConline原创
责任编辑：xujian1
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