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　　通过这种3D晶体管闸门的设计可以大幅改善电路控制并减少漏电流(leakage)，也可以大幅缩短晶体管的闸长，将晶体管制程工艺提高到更小的尺寸，以达到摩尔定律的预测。英特尔马宏升谈到摩尔定律，虽然按照摩尔定律晶体管的性能的不断提升给了芯片制造商不容小觑的压力，但是压力就是动力，也是一个机遇。

摩尔定律

　　在IDEM2012大会上，IBM表示正在进行服务器应用的3D晶体管芯片的原型设计，采用22nm技术将会比采用32nm技术性能提升25%到35%。

　　对比IBM FinFET双门晶体管与英特尔三栅极晶体管，我们可以发现其是二者之间的差别不是很大，只不过英特尔将连接两个侧闸门的部部分也算一个闸门。其实不止IBM、三星英特尔等在对FinFET晶体管研究，还有许多研究机构以及企业对3D晶体管表现出浓厚兴趣。

IBM与英特尔FinFET晶体管对比

　　至于英特尔，其处理器技术研发部门负责人Mark Bohr表示，英特尔3D晶体管芯片相比IBM有着更强的适用性，英特尔早在今年上半年就推出了3D晶体管的服务器芯片。

22nm三栅极晶体管

　　在今年5月份，英特尔发布了11个款E3-1200 V2系列四核处理器，基于最新的Ivy Bridge架构。新处理器在每瓦特耗能的性能表现上有着更为强劲的优势。并且支持更多的内存和存储服务器密度。E3是采用最新的22nm晶圆，首次将3D晶体管技术的服务器处理器，能够带来更高的效能。

E3-1200 v2系列处理器

　　有报道称英特尔的22nm FinFET处理器相比TSMC的28nm处理器要贵30%到40%，Bohr表示英特尔22nm FinFET 是值得这样的价钱的。并且澄清说FinFET技术的加入只增加了3%的费用。

　　而至于有分析人士称英特尔14nm晶圆要比28nm晶圆贵90%的费用，Bohr予以否认，表示14nm晶圆费用的增长远没有那么高。Bohr表示每一代制程工艺的升级，晶圆费用的增加在所难免，不过相比较而言，14nm制程工艺下的每一个晶体管的费用实际上是在减少的。>>