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英特尔在IDEM2012大会上展示了22nm 3D晶体管的优势特点：高速率，低功耗以及高电压。
英特尔还推出两种不同的晶体管设计，分别突出低功耗以及高电压两种特性，以应用在不同的环境中。
而早在IDF2012上，英特尔将22nm三栅极晶体管作为第一个重点技术推向市场。当时也展示22nm三栅级晶体管的特点。
相对于传统上一大32nm晶体管，22nm三栅极晶体管的优势在于性能的提升和功耗降低。
保持相同的低压情况下，22nm三栅极晶体管的性能比上一大性能提升30%以上，而若是以功耗来比较的话，相同功耗的性能提升约为50%。
在IDF2012会上，英特尔还展示了22nm三栅极晶体管的晶圆。>>
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2012-12-19 00:15
出处：PConline原创
责任编辑：xiongxuehui
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